‘HBM 1위’ SK, ‘파운드리 1위’ TSMC와 손잡았다…차세대 HBM 기술 역량 강화

SK하이닉스, TSMC와 기술 협력 MOU 체결
‘HBM4’ 성능 고도화…패키징 기술도 최적화
“경쟁력 제고 통해 AI 메모리 성능 한계 돌파”

SK하이닉스 이천공장. <사진=SK하이닉스>

SK하이닉스가 글로벌 파운드리(반도체 위탁 생산) 시장 1위 대만 TSMC와 손잡고 차세대 HBM(고대역폭메모리) 생산과 첨단 어드밴스트 패키징 기술 역량 강화에 나선다.

SK하이닉스는 최근 대만 타이베이에서 TSMC와 함께 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했다고 19일 밝혔다.

이번 MOU에 따라 SK는 2026년 양산 예정인 6세대 HBM ‘HBM4’ 개발에 속도를 낼 예정이다.

SK하이닉스 관계자는 “AI 메모리 글로벌 리더로서 파운드리 1위 TSMC와 힘을 합쳐 또한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다”며 “‘고객사-파운드리-메모리’로 이어지는 3자 간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파하겠다”고 말했다.

우선 양사는 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(base die) 성능 개선에 나선다.

HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(core die)를 쌓아 올린 뒤, 이를 TSV(실리콘관통전극) 기술로 수직 연결해 제조한다. 베이스 다이는 GPU(그래픽처리장치)와 연결돼 HBM을 통제하는 역할을 수행한다.

SK하이닉스는 5세대 HBM인 ‘HBM3E’까지 자체 D램 공정으로 베이스 다이를 만들어 왔다. 그러나 HBM4부터는 TSMC가 보유한 로직 초미세 선단 공정을 활용한다는 방침이다. HBM 제조 과정에 초미세 공정을 적용하면 보다 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문이다.

이같은 협력으로 SK는 성능과 전력 효율 등 고객사의 폭넓은 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 양산할 수 있을 것으로 기대하고 있다.

아울러 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 첨단 패키징 공정 ‘칩 온 웨이퍼 온 서브스트레이트(CoWoS)’ 기술 결합을 최적화하기 위해 협력한다. 또 HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했다.

김주선 SK하이닉스 AI인프라담당 사장은 “TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 내겠다”며 “앞으로 고객 맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 ‘토털 AI 메모리 프로바이더’로서 위상을 확고히 하겠다"고 말했다.

케빈 장 TSMC 수석부사장은 “TSMC와 SK하이닉스는 수년 간 견고한 파트너십을 유지하며 최선단 로직 칩과 HBM을 결합한 세계 최고 AI 솔루션을 시장에 공급해 왔다”며 “HBM4에서도 긴밀하게 협력해 고객의 AI 기반 혁신을 앞당길 최고의 통합 제품을 제공하겠다”고 강조했다.

[CEO스코어데일리 / 오창영 기자 / dongl@ceoscore.co.kr]

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