삼성전자, 2030년까지 시스템 반도체에 171조원 투자

삼성전자가 파운드리를 포함한 시스템 반도체(비메모리) 부문의 투자금액을 171조원으로 확대한다. 당초 발표한 2030년까지 133조원 투자에 38조원을 추기로 하기로 한 것이다.

이와 함께 세계 최대 규모의 평택캠퍼스 P3 라인을 내년 하반기까지 완공해 메모리 반도체 부문의 '초격차' 전략을 가속화한다.

삼성전자는 13일 평택캠퍼스에서 열린 'K-반도체 벨트 전략 보고대회'에서 향후 2030년까지 시스템반도체 분야에 대한 추가 투자계획을 발표했다.

삼성전자는 시스템반도체 리더십 조기 확보를 위해 2019년 4월 '시스템반도체 비전 2030' 발표 당시 수립한 133조원의 투자계획에 38조원을 더해 2030년까지 총 171조원을 투자하기로 했다.

2019년 4월 정부는 삼성전자 화성사업장에서 '시스템반도체 비전 선포식'을 열고 시스템반도체 육성을 통해 종합 반도체 강국으로 거듭나겠다는 계획을 밝힌 바 있다. 비전 선포식 이후 지난 2년 간 삼성전자를 비롯한 반도체 제조 기업과 팹리스, 공급망의 핵심인 소재·부품·장비 업체, 우수 인재 육성을 담당하는 학계 등 국내 반도체 생태계 주요 구성원 간의 상호 협력이 활성화되며 비전 달성을 위한 기반을 착실히 다져왔다.

삼성전자는 최근 전례 없는 반도체 부족 사태가 빚어지는 가운데 각국 정부가 반도체 공급망 유치를 위해 경쟁하는 상황에서 이번 시스템반도체 투자 확대가 'K-반도체'의 위상을 한층 더 높이는 데 기여할 것으로 기대하고 있다.

삼성전자는 메모리 반도체 '초격차' 전략을 가속화한다. 김기남 삼성전자 부회장은 이날 행사에서 평택 3라인(P3)을 내년 하반기에 완공하고 본격적인 생산에 들어갈 것이라고 밝혔다.

평택 3라인의 클린룸 규모는 축구장 25개 크기다. 극자외선(EUV) 기술이 적용된 14나노 D램과 5나노 로직 제품을 양산한다. 현존하는 최첨단의 기술이 적용된 공장인 만큼 모든 공정은 스마트 제어 시스템에 의해 전자동으로 관리된다.

삼성전자 평택 캠퍼스는 세계 최대 규모의 반도체 클러스터로서 최첨단 제품을 양산하는 전초기지이자 글로벌 반도체 공급 기지로서의 주도적 역할이 강화될 전망이다.

앞으로 삼성전자는 차세대 D램에 EUV 기술을 선도적으로 적용해 나가며 메모리와 시스템반도체를 융합한 'HBM-PIM', D램의 용량 한계를 극복할 수 있는 'CXL D램' 등 미래 메모리 솔루션 기술 개발에도 박차를 가하며 초격차 세계 1위의 위상을 강화할 계획이다.

김 부회장은 "한국이 줄곧 선두를 지켜온 메모리 분야에서도 추격이 거세다"며 "수성에 힘쓰기 보다는 결코 따라올 수 없는 '초격차'를 벌리기 위해 삼성이 선제적 투자에 앞장 서겠다"고 강조했다.

[CEO스코어데일리 / 유영준 기자 / yjyoo@ceoscore.co.kr]