‘삼성 반도체 핵심 기술’ 중국에 빼돌린 전직 연구원, 구속 기로

20나노급 D램 기술 공정도 700여 개, 中 업체에 유출 혐의
18나노 D램 기술 유출 정황도 포착…관련 여부 수사 중

서울 서초구 삼성전자 서초사옥. <사진=연합뉴스>

삼성전자가 독자 개발한 반도체 기술을 중국 업체로 유출한 혐의를 받는 전직 수석 연구원이 구속 기로에 놓였다.

서울중앙지법(이민수 영장전담 부장판사)은 16일 오전 10시 30분부터 산업기술보호법 위반 혐의를 받는 전 연구원에 대한 구속 전 피의자 심문(영장실질심사)를 진행했다.

이날 정오께 영장실질심사를 마친 그는 “중국으로 기술을 유출한 혐의를 인정하느냐”, “기술 유출의 대가로 얼마를 받았느냐” 등 취재진의 질문에 답을 하지 않고 법원을 떠났다.

전 연구원은 2014년 삼성전자가 독자적으로 개발한 20나노급 D램 기술 공정도 700여 개를 중국 반도체 업체 청두가오전에 무단으로 넘긴 혐의를 받고 있다. 청두가오전은 삼성전자 임원, 하이닉스 부사장을 지낸 최모씨가 2021년 중국 청두시로부터 거액을 투자 받아 설립한 반도체 업체다. 전 연구원은 해당 업체의 핵심 임원인 것으로 알려졌다.

지난해 9월 말 경찰은 전 연구원의 자택을 압수수색하는 과정에서 해당 공정도를 발견했다. 이에 그가 700여 개의 반도체 제작 과정이 담긴 기술 공정도를 중국에 유출한 것으로 보고 수사를 벌여 왔다.

또 경찰 수사 과정에서 18나노 D램의 기술이 중국에 유출된 정황도 포착됐다. 경찰은 최씨와 전 연구원이 관여했는지도 들여다보고 있다.

반도체 기술 인력의 대규모 유출 정황에 대해서도 수사가 이뤄지고 있다. 경찰은 청두가오전이 기술 유출을 목적으로 삼성전자와 SK하이닉스 등 국내 반도체 업체의 임직원을 빼돌렸다고 보고 있다.

앞서 지난해 10월 경찰은 컨설팅 업체 3곳과 헤드헌팅 업체 2곳을 압수수색한 바 있다. 그 결과 해당 업체들을 통해 국내 반도체 업체 임직원 200여 명이 넘어간 것으로 파악됐다. 또 이들 가운데 회사의 자료를 빼간 것으로 의심되는 임직원 상당수가 입건된 것으로 전해졌다.

[CEO스코어데일리 / 오창영 기자 / dongl@ceoscore.co.kr]

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