SK, 또 대박 터뜨렸다…‘업쳬 최초’ 신소재 적용 고방열 모바일D램 공급

모바일 D램에 반도체 후공정 신소재 ‘High-K EMC’ 채택
고사양 플래그십 스마트폰 발열 문제 해소…고객사 호평

SK하이닉스 고방열 모바일 D램. <사진=SK하이닉스>

SK하이닉스가 업계 최초로 반도체 후공정 신소재를 적용한 고방열 모바일 D램을 개발하는 데 성공했다.

SK하이닉스는 ‘High-K EMC(Epoxy Molding Compound)’ 소재를 활용해 열을 잘 방출하는 모바일 D램 신제품을 고객사에 공급하기 시작했다고 28일 밝혔다.

High-K EMC는 열전도 계수(K)가 높은 물질을 EMC에 접목해 열전도도를 향상시킨 반도체 후공정 소재다.

SK하이닉스 관계자는 “온디바이스(On device) AI(인공지능) 구현을 위해 데이터를 고속 처리할 시 발생하는 발열이 스마트폰 성능 저하의 주요 원인이 되고 있다”며 “이번 제품으로 고사양 플래그십 스마트폰의 발열 문제를 해결해 글로벌 고객사로부터 높은 평가를 받고 있다”고 밝혔다.

최신 플래그십 스마트폰은 모바일 AP(애플리케이션프로세서) 위에 D램을 적층하는 PoP(Package on Package) 방식을 적용하고 있다.

이 구조는 한정된 공간을 효율적으로 활용하고 데이터 처리 속도를 향상시킨다는 장점이 있다. 그러나 모바일 AP에서 발생한 열이 D램 내부에 누적되는 탓에 스마트폰의 성능을 저하시킨다는 단점도 갖는다.

SK하이닉스는 해당 문제를 해결하기 위해 D램 패키지를 감싸는 핵심 소재인 EMC의 열전도 성능을 향상시키는 데 주력했다. 이를 통해 기존 EMC의 소재로 사용하던 실리카(Silica)에 알루미나(Alumina)를 혼합 적용한 신소재인 High-K EMC를 개발했다.

신소재의 열전도도는 기존 대비 3.5배가량 높아졌다. 이에 열이 수직으로 이동하는 경로에서의 열 저항을 47%나 개선하는 성과를 거뒀다.

향상된 방열 성능은 스마트폰의 성능 개선과 소비 전력 절감을 통해 배터리 지속 시간, 제품 수명 연장에도 기여하는 것으로 나타났다. 이러한 강점에 힘입어 모바일 업계를 주축으로 고방열 모바일 D램에 대한 관심과 수요가 높아질 것으로 기대를 모은다.

이규제 SK하이닉스 PKG제품개발담당 부사장은 “이번 제품은 단순한 성능 향상을 넘어 고성능 스마트폰 사용자들이 겪는 불편 해소에 기여한다는 점에서 큰 의미가 있다”며 “소재 기술 혁신을 바탕으로 차세대 모바일 D램 시장에서의 기술 리더십을 확고히 구축해 나가겠다”고 강조했다.

[CEO스코어데일리 / 오창영 기자 / dongl@ceoscore.co.kr]

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