삼성전자, “TSMC 잡는다”…파운드리서도 초격차 전략 본격화

시간 입력 2021-10-08 07:00:02 시간 수정 2021-10-07 17:16:43
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3나노 양산 목표 내년 상반기로 앞당겨…파운드리 1위 TSMC보다 빨라
2나노에서는 3세대 GAA로 '승부수'

올해 2분기 기준/자료: 카운터포인트리서치

삼성전자가 내년 상반기 차세대 미세공정인 3나노미터급 반도체 양산에 착수한다. 또 2025년부터는 2나노 공정에 돌입하며 파운드리(반도체 수탁생산) 세계 1위인 대만 TSMC 추격을 본격화한다.

이와 함께 차세대 공정을 적용할 것으로 예상되는 미국 제 2공장 최종 투자 결정에도 속도가 붙을 것으로 전망된다.

8일 업계에 따르면 삼성전자는 지난 7일 온라인으로 개최한 '삼성 파운드리 포럼 2021'에서 3나노 반도체 양산시기를 내년 상반기로 앞당기겠다고 밝혔다. 이어 2025년에는 2나노 공정을 계획하고 있다고 덧붙였다.

삼성전자가 계획대로 내년 상반기 중 3나노 반도체 양산에 성공한다면, 이는 파운드리 세계 1위 TSMC에 앞선 업계 최초 사례가 될 가능성이 높다. 외신 등에 따르면 TSMC는 내년 7월에야 인텔 중앙처리장치(CPU)와 그래픽처리장치(GPU) 등을 대상으로 3나노 양산에 들어갈 전망이다.

업계 관계자는 “TSMC와의 경쟁에서 쫓는 입장이었던 삼성전자가 이번 3나노 조기 양산 발표로 주도권을 쥐겠다는 것”이라고 분석했다.

삼성전자는 2나노 공정에서도 TSMC와의 대결에서 경쟁력을 가져갈 수 있을 것으로 보고 있다. 2나노 양산 목표 시기는 2025년으로 TSMC보다 1년가량 뒤처지지만, TSMC보다 2세대 앞선 ‘3세대 게이트올어라운드(GAA)’ 기술을 도입할 예정인 만큼 기술 안정성과 수율에서 우위를 차지할 수 있을 것이란 계산이다.

GAA는 전류가 흐르는 원통형 채널 전체를 게이트가 둘러싸고 있는 구조다. 기존 3면을 감싸고 있는 핀펫(FinFET) 구조에 비해 전류 흐름을 더 세밀하게 제어할 수 있어 전력 효율과 성능 면에서 더 우수하다.

최시영 삼성전자 파운드리 사업부장(사장)이 7일 온라인으로 개최된 '삼성 파운드리 포럼 2021'에서 기조연설을 하고 있다.<사진제공=삼성전자>

일각에서는 삼성전자의 이번 미세공정 조기양산 승부수로, 지지부진한 미국 파운드리 2공장 최종 투자 결정에도 속도가 붙을 것이란 전망도 나온다. 삼성전자가 2공장 후보지인 테일러·카운티와의 회의에서 도출한 결의문에 ‘반도체 산업에서 가장 진보한 기술’이라는 문구를 포함하면서, 평택 공장 외 미국 2공장에서도 3나노 이하 차세대 공정 제품을 생산할 가능성이 높아졌기 때문이다.

최시영 삼성전자 파운드리사업부장(사장)은 포럼에서 “현재 평택에 4나노 이하 공정 제품을 생산할 새로운 공간을 추가하고 있다”고 설명했다. 다만 미국 2공장 투자에 대해서는 “몇 가지 옵션을 고려하고 있고 곧 계획이 나올 것”이라고만 밝혔다.

최근 미국 정부가 반도체 기업들에게 내부 정보를 공개하라고 요청한 자리에서 나온 발언도 삼성전자의 2공장 투자 결정을 앞당길 수 있다.

앞서 미국 상무부는 지난달 삼성전자 등 백악관 회의에 참석한 반도체 기업들에게 향후 45일 내 재고·주문·판매 관련 정보를 자발적으로 제출하라고 요구하면서 “반도체 부족 문제의 근본적인 해법은 우리가 더 많은 반도체를 미국 영토에서 생산하는 것”이라고 강조했다. 이는 미국 투자를 미루고 있는 삼성전자 등을 겨냥한 발언으로 풀이된다. 

삼성전자 관계자는 “포럼에서 밝힌 것처럼 미국 공장부지 선정을 위한 검토를 지속하고 있다”며 “내용이 업데이트 되면 시장과 공유할 것”이라고 말했다.

[CEO스코어데일리 / 유영준 기자 / yjyoo@ceoscore.co.kr]

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