SK하이닉스, ‘HBM 1등’ 굳힌다…세계 최초 ‘HBM3E’ 12단 제품 양산 돌입

AI 메모리 속도·용량·안정성 등 모든 부문, 글로벌 톱 수준
연내 엔비디아에 공급 예정…“HBM 성공 신화 이어나갈 것”

SK하이닉스 36GB HBM3E 12단 제품. <사진=SK하이닉스>

글로벌 HBM(고대역폭메모리) 시장 1위 SK하이닉스가 세계 최초로 HBM 5세대인 ‘HBM3E’ 12단 제품 양산에 돌입했다.

SK하이닉스는 현존 HBM 최대 용량인 36GB를 구현한 HBM3E 12단 제품을 양산하기 시작했다고 26일 밝혔다. 기존 HBM3E의 최대 용량은 3GB D램 단품 칩 8개를 수직 적층한 24GB였다.

SK하이닉스 관계자는 “SK하이닉스는 2013년 세계 최초로 HBM 1세대를 출시한 데 이어 5세대까지 전 세대 라인업을 개발해 시장에 공급해 온 유일한 기업이다”며 “높아지고 있는 AI(인공지능) 기업들의 눈높이에 맞춘 12단 신제품도 가장 먼저 양산에 성공해 AI 메모리 시장에서 독보적인 지위를 이어가고 있다”고 강조했다.

이번 HBM3E 12단 제품은 AI 메모리에 필수적인 속도, 용량, 안정성 등 모든 부문에서 세계 최고 수준을 충족시킨 것으로 평가된다.

신제품의 동작 속도는 현존 메모리 최고 속도인 9.6Gbps로 높아졌다. 이는 이번 제품 4개를 탑재한 단일 GPU(그래픽처리장치)로 메타의 오픈 소스 LLM(거대언어모델)인 ‘라마3 70B’를 구동할 경우, 700억개의 전체 파라미터를 초당 35번 읽어낼 수 있는 수준이다.

또 신제품은 기존 8단 제품과 동일한 두께로 3GB D램 칩 12개를 적층해 용량을 50% 늘렸다. 이를 위해 D램 단품 칩을 기존보다 40% 얇게 만들고, TSV(실리콘관통전극) 기술을 활용해 수직으로 쌓았다.

얇아진 칩을 더 높이 쌓을 때 생기는 구조적 문제도 해결했다. SK는 자사 핵심 기술인 어드밴스드 MR-MUF(매스리플로우-몰디드언더필) 공정을 적용해 전 세대보다 방열 성능을 10% 높였다. 휨 현상 제어를 강화해 제품의 안정성과 신뢰성도 확보했다.

SK하이닉스는 HBM3E 12단 제품을 연내 엔비디아에 공급할 예정이다. 지난 3월 HBM3E 8단 제품을 업계 최초로 엔비디아에 납품한 지 6개월 만에 또한번 압도적인 기술력을 증명한 셈이다.

김주선 SK하이닉스 AI인프라담당 사장은 “다시 한번 기술 한계를 돌파하며 시대를 선도하는 독보적인 AI 메모리 리더로서의 면모를 입증했다”며 “앞으로도 AI 시대의 난제들을 극복하기 위한 차세대 메모리 제품을 착실히 준비해 ‘글로벌 1위 AI 메모리 프로바이더’로서의 위상을 이어가겠다”고 말했다.

[CEO스코어데일리 / 오창영 기자 / dongl@ceoscore.co.kr]

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